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Cheetah-640CL TE3--高分辨率水冷型InGaAs攝像機

發(fā)布時間:2019-03-29 03:09:50

Cheetah-640CL(TE3)系列攝像機是一款?高分辨率、緊湊型紅外攝像機,?其配備專用的低噪音?InGaAs探測器陣列,工作范圍為?0.9 μm到1.7 μm。憑借其TE3制冷傳感器和水冷型攝像裝置,?Cheetah-640CL(TE3)系列是一款具備高度靈敏度的攝像機,?可在長積分時間條件下實現?超低暗電流。 其可為您

Cheetah-640CL(TE3)系列攝像機是一款 高分辨率、緊湊型紅外攝像機, 其配備專用的低噪音 InGaAs探測器陣列,工作范圍為 0.9 μm到1.7 μm。

憑借其TE3制冷傳感器和水冷型攝像裝置, Cheetah-640CL(TE3)系列是一款具備高度靈敏度的攝像機, 可在長積分時間條件下實現 低暗電流。 其可為您提供 一款出色的測量工具, 以在SWIR范圍內進行微光成像, 例如半導體故障分析或 發(fā)光光譜應用。

Cheetah- 640CL(TE3)系列隨附 軟件開發(fā)套件, 該套件可允許對各種攝像機設置進行直接讀寫, 并可輕易與您自己的 CameraLink圖像采集系統(tǒng)集成。

特性:

圖片關鍵詞

與各種圖像采集卡兼容

CameraLink接口兼容各種圖像采集卡

(Euresys Grablink Full, NI 1433 

and Imperx Framelink Express VCE-CLEX01).

圖片關鍵詞

觸發(fā)

信號同步外觸發(fā)


圖片關鍵詞

SwaP(Small,Weight,Power)

小體積,重量輕,功耗低,適應苛刻應用環(huán)境


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TrueNUC圖像修正

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開窗模式

可降低分辨率,提升幀速


圖片關鍵詞

軟件

包含相機控制和圖像處理軟件


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高分辨率 

640x512 pixel resolution 

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圖片關鍵詞


多級制冷

Thermo-electric or Peltier cooling in 3 stages




圖片關鍵詞

兼容光譜儀

Mounting holes available for spectrograph mounting



芯片參數Cheetah-640-CL
芯片類型InGaAs Focal Plan Array (FPA) ROIC with CTIA topology
分辨率640 x 512
像素尺寸20 μm x 20 μm
光譜范圍0.9 μm to 1.7 μm (VisNIR optional 0.4 to 1.7 μm)
量子效率80%
像素轉化率> 99 %
芯片尺寸12.8 mm x 10.2 mm; 16.4 mm diagonal
制冷方式TE1-cooled (Optional: TE3)
ROIC噪聲High gain: 60 e-; low gain: 400 e-
暗電流0.19 x 106e-/s/pixel or 30 fA @ 200 mV bias at 288 K
滿阱容量High gain: 80 x 10x3 e-; low gain: 1.1 x 10x6 e-
增益High gain: 20 μV/e-
增益Low gain: 1.6 μV/e-

相機參數Cheetah-640CL TE3
鏡頭
焦距25 mm f/2.1 (SWIR)
鏡頭接口C-mount - Spectrometer holes
圖像性能
最大幀速110 Hz
集成類型Snapshot
感興趣的窗口Minimum size 32 x 4
Integration time range1 μs - 40 ms
ADC14 bit
接口
相機接口CameraLink (LVDS voltage levels)
圖像采集Base CameraLink (14 bit)
觸發(fā)Trigger in and out (3.3 V CMOS)
供電
功率< 4 W without TEC operation; Max. 25 W with TE-cooling
供電12 V
物理特性
制冷方式Water cooling
工作溫度0°C to 50°C
外形尺寸140 x 135 x 90
重量2 kg


產品特性 : 

  • 靈活的GUI和SDK

  • 可為所有攝像機型號提供SDK(軟件開發(fā)套件)——可提供用于C++、LabView的范例

  • 高量子效率(> 80%)

  • 高分辨率

  • 低暗電流

  • 無需LN2制冷

  • 兼容光譜儀

應用領域

  • 發(fā)射顯微學

  • 熒光

  • 微光成像光譜學:Raman(拉曼)、發(fā)射、光致發(fā)光、吸光度

  • R&D (SWIR領域)

  • 半導體故障分析